SK 海力士 表示，半導體生產(chǎn)流程未受波及，相關(guān)問題正在溯源排查。 SK 海力士 在全球DRAM市場占有率約30%，清州園區(qū)是其先進產(chǎn)能的核心陣地。

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消息人士透露， SK 海力士 曾以獲取日本政府補貼為前提，與日本部分地方政府就DRAM工廠選址進行初步溝通。

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據(jù) SK 海力士 官方消息，2026年1月28日，這家韓國存儲器巨頭宣布了一項重大戰(zhàn)略舉措：將以14.428萬億韓元（約合100億美元）收購其美國子公司“ SK 海力士 NAND產(chǎn)品解決方案”的剩余股份，實現(xiàn)全資控股

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針對Wccftech的報道， SK 海力士 回應(yīng)稱，“目前已完成了新的M15X工廠兩年的建設(shè)，將提前開業(yè)。專注于HBM生產(chǎn)的M15X工廠計劃于明年開始全面量產(chǎn)。

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投資界人士透露， SK 海力士 已確定符合NVIDIA規(guī)格的HBM4價格與供應(yīng)量，并維持當前獲利水準。業(yè)界估計， SK 海力士 HBM4毛利率約為60%。

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分析指出，隨著堆疊層數(shù)的增加，HBM在DRAM領(lǐng)域的比重將持續(xù)擴大，成為推動 SK 海力士 業(yè)績增長的重要引擎。

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SK 海力士 在財報中表示，公司計劃今年增加HBM3E的供應(yīng)量，并適時開發(fā)出HBM4，根據(jù)客戶的要求進行供應(yīng)。 SK 海力士 預(yù)計16層HBM4將于明年下半年出貨，正與臺積電合作。

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繼美光和三星決定減產(chǎn)后，南韓存儲器芯片巨頭 SK 海力士 也緊隨其后，計劃將上半年NAND快閃存儲器的產(chǎn)量削減10%。 SK 海力士 作為全球第二大NAND快閃廠商，其減產(chǎn)行動無疑將對市場產(chǎn)生深遠影響。

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