據(jù)報(bào)道， 長(zhǎng) 鑫 存儲(chǔ) DDR 5 芯片因生產(chǎn) 良 率 提升，整體供應(yīng)狀況已顯著改善。資料顯示， 長(zhǎng) 鑫 17nm DDR 5 良 率 已 突破 90 %，與三星同代產(chǎn)品92%至93%的 良 率 水平僅差2到3個(gè)百分點(diǎn)。

來(lái)源：芯極速

長(zhǎng) 鑫 暫未證實(shí)此傳言，但其官網(wǎng)上已宣布LPDDR 5 系列進(jìn)軍移動(dòng)終端市場(chǎng)。據(jù)韓媒報(bào)道， 長(zhǎng) 鑫 的 DDR 5 良 率 約80%，與韓國(guó)晶圓廠對(duì)手相近，顯示其技術(shù)能力不俗。

來(lái)源：ictimes

報(bào)道稱，目前合肥 長(zhǎng) 鑫 的17nm工藝 DDR 5 內(nèi)存芯片 良 率 已經(jīng)達(dá)到了40%，預(yù)計(jì)在今年二季度試產(chǎn)，出樣片給到客戶。雖然目前40%的 良 率 較低，不過(guò)長(zhǎng) 鑫 存儲(chǔ)將會(huì)在接下來(lái)的時(shí)間里持續(xù)改進(jìn) 良 率 。

來(lái)源：百家號(hào)

2022 年， 長(zhǎng) 鑫 存儲(chǔ)邁入 G3 制程量產(chǎn)階段，如今正全力邁向 G4 制程，其 2025 年新增產(chǎn)能將精準(zhǔn)錨定 LPDDR 5 及 DDR 5 市場(chǎng)，聚焦服務(wù)器與智能手機(jī)領(lǐng)域。

來(lái)源：萬(wàn)德豐

近日， 長(zhǎng) 鑫 存儲(chǔ)首次公開(kāi)展示了 DDR 5 和LPDDR 5 X兩大產(chǎn)品線的最新產(chǎn)品。

來(lái)源：芯極速

目前， 長(zhǎng) 鑫 存儲(chǔ)生產(chǎn)的HBM及 DDR 5 等產(chǎn)品主要依托傳統(tǒng)工藝制造，在芯片性能與 良 率 方面與三星電子存在顯著差距。

來(lái)源：趙輝

長(zhǎng) 鑫 存儲(chǔ)在2024年成功量產(chǎn) DDR 5 DRAM后，通過(guò)光罩修改優(yōu)化（解決初期寬溫及散熱問(wèn)題）后，2025年下半年平均 良 率 已 突破 80%，接近市場(chǎng)主流規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)。

來(lái)源：芯極速

近期盛傳 長(zhǎng) 鑫 存儲(chǔ)量產(chǎn)的 DDR 5 也可能面臨 良 率 問(wèn)題，且在美國(guó)限制下，中國(guó)業(yè)者難以引進(jìn)先進(jìn)設(shè)備，雙方技術(shù)及成本差距可能進(jìn)一步拉大。