SK海力士計劃今年量產 DDR 5 ，三星計劃2021年基于D1a工藝大規模量產 DDR 5 ，美光1Znm制程的 DDR 5 寄存型DIMM(RDIMM)已開始出樣。

來源：全球半導體觀察

官方為其指定的計劃時間是2-3年，但實際上 長 鑫 早已開始研發下一代 DDR 4/LPDDR4/ DDR 5 /LPDDR 5 內存等工藝技術，預計實際完成時間會比指定時間更短。

來源：電子發燒友網

同時， DDR 5 、LRDDR 5 成為頭部廠商產品競爭焦點。美光表示，相比 DDR 4， DDR 5 內存性能提升至少85%、性能提升逾1.85倍。

來源：中國電子報

據報道， 長 鑫 存儲的 DDR 4產能利用率已達到 90 %，長江存儲旗下致態SSD在中高端市場的占有 率 顯著提升。不過，由于AI服務器市場集中于高端HBM與 DDR 5 領域，國內廠商短期內仍難以改變全球供應格局。

來源：趙輝

未來將推出10G3工藝下的 DDR 5 、LPDDR 5 ，及10G 5 工藝下的 DDR 5 、LPDDR 5 、GDDR6。

來源：天天IC

長 鑫 產品定位于大宗標準型 DRAM 產品，目前已量產19nm 的 DDR 4/LPDDR4/LPDDR4X 等， 良 率 在 75-85%，未來 2-3 年內將推進低功耗高速率 LPDDR 5 DRAM 產品開發

來源：芯榜+

針對大陸存儲產能對全球供給的影響，張家騉表示， 長 鑫 存儲 DDR 5 產品品質表現良好，但中國大陸本地內需已處于供不應求狀態，疊加新增產能釋放與 良 率 提升速度有限，短期難以改變全球存儲供需結構，后續產品驗證與兼容性測試將成為國產存儲規模化發展的關鍵挑戰

來源：芯極速

國內方面，國產存儲在今年取得 突破 ，不過目前還沒有本土廠商真正進入 DDR 5 賽場內。