在技術領域，公司 DDR 5 內存芯片的 良 率 已 突破 90 %，并成功實現12層HBM高帶寬內存的早期量產。 長 鑫 科技董事 長 朱一明承諾，公司上市后十年內不轉讓所持股份，員工激勵計劃也將在十年內分階段完成。

來源：萬德豐

市場推測， 長 鑫 存儲將積極導入先進制程以提升 DDR 5 效能。存儲器市場的激烈競爭已對三星的業績表現產生影響。

來源：林慧宇

據供應鏈消息透露， 長 鑫 存儲（CXMT）在 DDR 5 技術方面取得進展，產品 良 率 的提高使得整體供應情況得到優化，這也促使全球個人電腦（PC）供應鏈的采購模式發生變化。

來源：龍靈

長 鑫 內存自主制造項目總投資1500億元，將生產國產第一代10nm工藝級8Gb DDR 4內存芯片，并獲得了工信部旗下檢測機構中國電子技術標準化研究院的量產 良 率 檢測報告。

來源：EDA365

目前， 長 鑫 存儲已開始小規模推出 DDR 5 產品，并計劃在2025年下半年實現全面量產。然而，由于 良 率 較低，量產進程可能面臨一定挑戰。

來源：趙輝

2025年11月， 長 鑫 存儲發布最新 DDR 5 產品，速率達8,000 Mbps，單顆容量24Gb，量產 良 率 持續改善，帶動營收增長。 長 鑫 存儲計劃在上海擴建新廠，預計總產能將是合肥基地的2至3倍。

來源：李智衍

根據其招股說明書披露，旗下的 長 鑫 存儲已實現16納米級別（D1z） DDR 5 產品的量產，并正積極研發下一代DRAM及高帶寬存儲器（HBM）技術，以期打入AI服務器和高性能計算市場。

來源：陳超月

從技術角度看， 長 鑫 存儲正在不斷提升其生產能力。據TechInsights在2025年1月的分析， 長 鑫 存儲已能夠在1z納米節點上制造 DDR 5 芯片。