超致半導體成立于2015年，位于有“中國硅谷”之稱的上海張江高科技園區(qū)，擁有一支功率半導體器件從業(yè)經(jīng)驗超過15年的設計與運營團隊。是全球首家超結(jié)IGBT器件原廠，也是國內(nèi)首家多層外延超結(jié)MOS原廠。公司專注功率半導體器件的研發(fā)和創(chuàng)新，產(chǎn)品涵蓋范圍廣，包括高壓超結(jié)MOS、中低壓SGT-MOS、超結(jié)IGBT、SiC-MOS以及SiC-SBD等。公司產(chǎn)品定位高端，高壓MOS采用國際主流的多層外延工藝，在性能和可靠性等方面得到市場的充分肯定，且在主要應用領(lǐng)域服務于頭部客戶，應用范圍包括UPS、服務器電源、充電樁、OBC等工業(yè)市場。自2021年開始，公司在專業(yè)領(lǐng)域的創(chuàng)新技術(shù)和各項專利受到知名資本的青睞，超致半導體在公司規(guī)模、新產(chǎn)品的研發(fā)、專業(yè)人才的培養(yǎng)等各方面持續(xù)成長，志在為國產(chǎn)半導體事業(yè)貢獻力量。 我們的超結(jié)IGBT，在傳統(tǒng)IGBT的基礎上做了技術(shù)創(chuàng)新，關(guān)鍵參數(shù)均得到明顯提升，特點包括：更高的電流密度、更強的短路特性、更低的飽和導通壓降、更快的開關(guān)速度、更小的封裝形式。